Подписаться на RSS рассылку
Главная » Новости » Железо » 45-нанометровая производственная технология Intel® на базе гафния

Дата: 07.09.2008

45-нанометровая производственная технология Intel® на базе гафния

Благодаря использованию кардинально новых материалов, в том числе электронных схем на основе гафния, 45-нанометровая производственная технология Intel®, в которой используются металлические затворы и диэлектрики Hi-k, помогает значительно повысить производительность и энергосбережение процессоров и приступить к созданию совершенно новых компьютеров.

Благодаря революционной транзисторной технологии корпорации Intel процессоры Intel на базе 45-нанометровой технологии с использованием гафния и диэлектриков Hi-k получают исключительные преимущества. Эти революционные новые процессоры создают более разнообразные возможности для игр, мультимедиа и многозадачности на работе, дома и во время отдыха.

Инновационное решение, которое устраняет ограничения производительности

Микроархитектура Intel® Core™ следующего поколения построена на базе 45-нанометровой производственной технологии Intel® с использованием диэлектриков Hi-k и металлических затворов. В этой технологии плотность размещения транзисторов примерно в два раза превышает плотность размещения транзисторов в 65-нанометровой производственной технологии. Таким образом, в 45-нанометровой производственной технологии на такой же площади кристалла используется в два раза больше транзисторов. Число транзисторов в двухъядерных процессорах достигает более 400 миллионов и более 800 миллионов в четырехъядерных процессорах. 45-нанометровая производственная технология Intel® обеспечивает значительное повышение производительности, увеличение объема кэш-памяти 2 уровня до 50% и достижение рекордных показателей энергосбережения.

Более компактные транзисторы обеспечивают дополнительное повышение производительности
В начале января 2007 года корпорация Intel создала первые в мире процессоры на базе 45-нанометровой производственной технологии. В настоящее время еще пятнадцать процессоров на базе 45-нанометровой производственной технологии находятся на стадии разработки. Создание 45-нанометровой производственной технологии Intel с использованием диэлектриков Hi-k стало одним из фундаментальных прорывов в области разработки транзисторов за последние 40 лет. Эта технология позволит более чем на 20% увеличить скорость переключения транзисторов и более чем в 10 раз сократить объем утечки тока транзистора.

Прорывы в области проектирования транзисторов

В 45-нанометровой производственной технологии Intel используется новое сочетание материалов диэлектрика high-k на базе гафния и металлических затворов. Благодаря этому инновационному решению 45-нанометровая производственная технология стала крупным технологическим прорывом. Инновационное сочетание материалов позволяет решить проблему сокращения уровня утечки тока транзисторов, которая становится для производителей все более критичной по мере уменьшения размеров транзисторов.

Новый прорыв в области создания транзисторов позволит корпорации Intel и дальше разрабатывать процессоры для ПК, ноутбуков и серверов, отличающиеся рекордной производительностью. Это также подтверждает тот факт, что закон Мура, аксиома отрасли высоких технологий, гласящая, что число транзисторов удваивается каждые два года, расширяя функциональные возможности и одновременно сокращая стоимость продукции, продолжает действовать и в наступившем десятилетии.

Первый в мире процессор на базе 45-нанометровой производственной технологии

В первых процессорах на базе новой 45-нанометровой производственной технологии Intel с диэлектриками Hi-k реализованы разнообразные архитектурные усовершенствования, позволяющие увеличить производительность аппаратного и программного обеспечения. Кроме того, в 45-нанометровой производственной технологии используются материалы, не содержащие свинца, а с 2008 года корпорация Intel планирует перейти на продукцию, в которой не используется галоген. Эти изменения позволят корпорации Intel достичь поставленные цели, связанные с защитой окружающей среды. 45-нанометровая производственная технология уже реализована в процессорах семейства Intel® Core™2 и Intel® Xeon®.

www.intel.com

Качественное и комфортное наполнение гаджетов

Покупая в очередном торговом центре мобильный телефон или планшет, так хочется, чтобы он радовал не только своим внешним видом, но и внутренней программной начинкой. Но, увы, меню даже самых суперовых мобилок не отличается особенностями. То же самое примитивное меню. Конечно же, современный гаджет используется сегодня не в качестве развлечения, а в большей мере в профессиональной деятельности, и у потребителя всегда есть желание совмещения своих рабочих обязанностей с электронными мобильными операциями. Качественная разработка приложения для мобильников любого функционала в первую очередь создает комфортные условия работы владельцев оных. Порадовать своими программными продуктами, поддерживающимися операционными система гаджетов – Андроид и ИОС может компания Рromwad, а познакомиться с ее возможностями вы можете вот по этому адресу http://promwad.ru/uslugi/razrabotka-mobilnyh-prilozheniy.

Просмотров: 2918


Имя *:
Email:


Код *:

Copyright © 2008-2016 Программирование на Delphi для начинающих и не только

Полнота авторских прав на все материалы, опубликованные на сервере DelphiDevelop.ru принадлежит их авторам

Перепечатка материалов разрешается с указанием авторства и гиперссылки на первоисточник информации

Хостинг от uCoz

Автор проекта: Борисов Сергей

e-mail: save-x@yandex.ru

Связь с администрацией сайта